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【榜单】中国芯上市公司市盈率排行榜;科创板首例海外并购:本土晶圆检验测试领域的一大步;露笑科技碳化硅片设施安装调试

时间: 2023-11-27 00:45:52 |   作者: 产品/永乐国际注册地址

1.【集微榜单】中国芯上市公司市盈率排行榜:A股半导体公司是美股的2.5倍 6.中国工

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  1.【集微榜单】中国芯上市公司市盈率排行榜:A股半导体公司是美股的2.5倍

  6.中国工程院院士增选第二轮评审候选人名单公布,信息与电子工程学部共31人入选

  1.【集微榜单】中国芯上市公司市盈率排行榜:A股半导体公司是美股的2.5倍

  集微网根据公开信息整理分析,发布了中国芯上市公司市盈率排行榜,榜单共涉及129家A股上市半导体公司的市盈率。

  截止2021年4月30日收盘,A股三大股指皆有小幅度下跌,上证指数收报3446.86,下跌0.81%,深证成指收报14438.57,下跌0.18%。

  半导体板块情况,总市值相比2020年末有所下跌,在A股上市的半导体公司的总市值约为33497.84亿元,相比2020年12月31日的总市值34915.76亿元,下跌了4.23%。

  市盈率TTM是市盈率的一种计算方式,投入资金的人在运用时需注意与市盈率LYR的区别,另外,由于市盈率TTM是一个滚动数据,而且根据季度变化计算,更加客观的反映了上市公司的真实情况,为投资者做出正确决策提供一定的依据。

  计算方法是市盈率=普通股每股市场行情报价/普通股每年每股盈利。每股盈利的计算方式,是该企业在最近的过去12个月的净利润除以总发行已售出股数。

  市盈率是最常用来评估股价水平的指标之一,亦称本益比,是股票在市场上买卖的金额除以每股盈利的比率,通常用来作为比较不同价格的股票是否被高估或者低估的指标。正常的情况下,某只股票的市盈率越低,表明投资回收期越短,投资风险越小,股票投资价值就越大;反之亦然。但是当一个企业增长迅速以及未来的业绩增长非常被看好时,股票暂时的高市盈率可能恰好准确地估量了该公司的价值。

  经计算,截止4月30日,A股上市公司的平均市盈率19.67倍,半导体公司的平均市盈率为82.36倍,半导体公司的平均市盈率约为A股上市公司的4倍。(半导体公司平均市盈率计算方式:平均市盈率=(所有股票市盈率分别乘以各自的总股本)之和/所有股票的总股本之和,A股和美国标普500指数的平均市盈率数据均来源于Wind)

  对比国际市场,费城半导体指数成分的公司平均市盈率为33.20倍,标普500指数成分的公司的平均市盈率为35.91倍。其中市盈率最高的是芯科实验室,位于美国德州奥斯汀成立的专门开发世界级的混合信号器件的实验室,市盈率为256.06倍。

  目前中国半导体公司市盈率,处于历史的中高谷,由于美国的制裁,加快了国产替代的步伐,促进了国内半导体企业的发展,这是国内半导体公司市盈率高的主要原因。

  通过对比国际半导体企业市盈率,国内一证券交易市场相对于海外市场均存在估值溢价,有利于国内成为科技创业和投资热土。

  据统计,在A股上市的半导体公司中市盈率超过60倍的有63家,占比超52%。市盈率超过300倍的有5家,占比4%,分别是国民技术为为554.22倍、沪硅产业为406.90倍、博通集成为333.35倍、阿石创为324.94倍、亚光科技为314.30倍。

  其中有八家半导体公司处于亏损状态,分别为四维图新,晓程科技,大唐电信,远望谷,旋极信息,寒武纪,芯原股份,力源科技,市盈率指标不具备参考价值,因此不被计入。

  一般来说,市盈率保持在10到30倍是正常区间,市盈率超过60倍被称为“死亡市盈率”,但不一样的行业的市盈率合理区间不同,从目前半导体蒸蒸日上的趋势来看,半导体行业的市盈率合理区间较高。

  从细分领域来看,材料的平均市盈率最高,为124.36倍,IDM类的平均市盈率次之,为89.59倍,其中分销的平均市盈率最低,为29.46倍。

  各细分领域中,材料类市盈率最高的为沪硅产业406.90倍,IDM类市盈率最高的为士兰微197.62倍,设计类市盈率最高的为国民技术554.22倍,制造类市盈率最高的为中芯国际99.71倍,设备类市盈率最高的为北方华创140.95倍,电子元器件类市盈率最高的为麦捷科技70.43倍,封测类市盈率最高的为利扬芯片84.66倍,分销类市盈率最高的为润欣科技62.39倍。

  集微网消息,6月1日晚间,国民技术发布公告称,因芯片项目设计研发所需,与华夏芯(北京)通用处理器技术有限公司(简称“华夏芯公司”)就高性能微控制器项目开展研发合作,并就该项目在深圳市南山区签订《技术开发合同》,研发设计服务费为2086万元(含税)。

  双方就高性能微控制器项目开展合作,由华夏芯公司负责目标芯片的研发项目管理,并负责目标芯片投片前的芯片数字系统模块设计、芯片数字模块设计、芯片系统集成设计、数字系统及数字模块级工作站前后端仿真验证、芯片系统级工作站前后端仿真验证、功耗仿真验证、DFT 仿真验证、FPGA 原型验证、投片后的样品验证(含芯片可靠性验证),并输出各阶段验证报告;同时,华夏芯公司负责目标芯片量产及推广中必要的 SDK 开发工作。在研发过程中,华夏芯公司负责突破目标芯片所需相关核心技术并完成协议约定的有关技术创新。

  同时,国民技术负责目标芯片的产品规格制定,负责协助、配合华夏芯公司承担目标芯片模拟系统模块设计、模拟模块设计、模拟版图设计、模拟电路仿真及验证,负责模拟设计交付质量;负责协助、配合华夏芯公司承担目标芯片的数字后端设计(综合、布局布线、DFT、静态时序分析)、模拟后端设计,全芯片后端设计并负责芯片投片等相关工作。且国民技术负责对目标芯片样片进行验收测试、工程化及量产化工作。

  项目进度方面,研发工作自合同签订生效后开展实施,分为三个阶段节点分别验收。其中:第一阶段(预计为 2021 年 9 月 20 日前)双方进行芯片规格制定、系统模块设计及第三方 IP 的采购;第二阶段为芯片研发设计阶段(预计为 2022 年 1 月 10 日前完成数字代码冻结,于 2022 年 3 月 20 日前完成投片工作);第三阶段为芯片样品验证及批量阶段(预计 2022 年 9 月 20 日完成)。

  国民技术表示,本次交易系基于公司芯片项目设计研发所需,符合公司实际经营和在微控制器领域的发展的策略规划,有利于借助华夏芯公司技术团队现有的IP及设计经验,与公司现在存在的微控制器技术积累形成优势互补,并通过双方协力解决项目底层技术难题,从而促进公司在此业务方向的拓展和竞争力,提高收入规模及盈利能力。(校对/Jack)

  作为中国科创板首次过会的三家企业之一,以工业视觉为核心技术深耕工业领域的天准科技,正试图逐步扩大业务布局,建立更加稳固的技术壁垒。这一次,天准科技将目光投向了前景广阔的半导体领域。

  基于本身在工业视觉装备领域的技术积累和优势天准科技决定在半导体领域延续检测、测量装备方面的优势。

  天准科技董事长创始人徐一华博士在接受集微网采访时表示:“公司从2017年开始就关注半导体领域的潜在机遇,近年来在梳理半导体产业链时发现,半导体后道封测领域的主力量测设备已经实现了某些特定的程度的国产化。而在前道的晶圆制造领域,晶圆检测设备仍然被海外巨头长期垄断,因为其技术难度仅次于光刻机。”

  要实现半导体业务从无到有的布局并不是特别容易,海外收购是最有效的方式之一。所以在2020年,徐一华和天准科技开始在全世界内寻找潜在收购标的,而远在德国慕尼黑,一家老牌半导体设备制造商正在出售。

  这家老牌设备厂商正是MueTec,主要是针对晶圆类产品提供高精度光学检测和测量设备。该企业成立于1991年,30年的时间内落地了相对完备的半导体前道检测、测量产品线,并已进入了欧洲、美洲、亚洲等多个市场。

  据天准科技董秘杨聪介绍,MueTec创始团队来自徕卡半导体检测事业部,该企业成立第二年即向客户交付了首台定制版CD及膜厚测量设备。

  虽然MueTec拥有深厚的研发技术实力,但该公司此前在运营上略显“佛系”,加上欧洲的半导体市场有限,MueTec的营收不容乐观。在此情形下,该公司的原股东萌生了兜售股权的想法,这恰好给了天准科技实现半导体业务布局快速突破的机会。

  2020年6月22日,在科创板刚刚上市天准科技宣布将以1818万欧元(约合1.4亿人民币)的价格收购德国半导体检测设备研发商MueTec 100%股权,并受让该公司200万欧元债务,这也让整个交易的价格达到2018万欧元(约合1.6亿元人民币)。

  截至2021年5月14日,天准科技完成MueTec公司100%股权的交割。

  徐一华告诉集微网,天准在收购前就已经组建了半导体设备开发团队,该团队未来将与MueTec进行人才的交流和协同研发,并将大幅度的增加投入,帮助MueTec产品全面升级;帮助MueTec控制成本,使得MueTec产品在全世界内更具竞争力;另外,还将针对MueTec加大对中国市场的投入,助推中国半导体产业发展。

  天准科技对MueTec的收购是中国半导体设备领域的一小步,是晶圆检验测试领域迈出的一大步。

  近年来,全球各大晶圆厂加速扩产,在复杂的地理政治学因素影响下,国产半导体设备迎来发展良机。虽然本土设备厂商已经取得了长足的进步,但依旧任重道远。

  日前,日经亚洲评论曾报道称,中国半导体设备还落后世界最先进的技术两到三代。对此,徐一华在接受集微网采访时表示,国产设备发展道路中面临着三座大山。

  第一座大山是半导体产业的复杂性,并由此导致半导体设备产品细分种类众多,而每种产品都需要巨大的投入,且需要很久的技术积累。

  第二座大山来自客户的不信任,一座晶圆厂的投资高达数十亿甚至上百亿美元,客户往往不会因为成本问题来选择国产设备,而是会选择更成熟、更可控的进口设备,导致产品很难争取到在客户现场的“打磨”机会,有关技术也很难成为产品。不过,近两年受到国际形势影响,慢慢的变多的本土客户开始意识到供应链安全问题,开始发力培育国产供应链。

  第三座大山是供应链的不完善,一台半导体设备所需要的零部件,绝大部分都需要定制,国内的产品基础和技术基础薄弱也限制了国产设备的发展。

  成立至今,天准科技已经服务了全球4000+家中高端客户,在消费电子、新能源、PCB等多个领域形成了行业口碑。未来,天准将继续与跟客户深度合作,基于实际的应用场景发掘前瞻性、高适用性的解决方案。公司也将围绕AI和精密光机电两大技术体系,搭建完善的人才体系,并支持各个业务条线的发展。站在当下全新的历史节点上,天准科技将在行业应用能力和技术能力双护城河的加持下,未来天准将协同半导体产业同仁共同助推中国半导体产业的发展。

  以工业视觉技术为核心,不断扩充业务线是天准科技发展的重要战略方向。从最初的视觉测量设备开始,天准逐渐将业务拓展至为所有的领域提供视觉检测、制程装备及各行业在线智能化生产解决方案,实现了业务线的遍地开花。徐一华表示,天准的业务线都属于关联扩张,即在核心的技术平台和管理平台的基础上,针对各行业客户的需求发展而来,“都是同一棵树上的果子”。

  除了对MueTec的收购,集微网获悉,2021年5月,天准科技进行了公司战略升级,正式迈入战略3.0 -“工业视觉I产业智能”阶段,在天准科技新战略指导下,除了工业视觉装备,天准科技面向智能工厂、智能网联等产业场景,提供智能生产线、数字工厂、工业物联网、车路协同、无人车和通用AI计算单元等智能化解决方案,推动生产力和社会效率的提升。(校对/木棉)

  集微网消息,6月2日,赛微电子公告,公司子公司莱克斯北京在北京经济技术开发区投资建设的“8英寸MEMS国际代工线)符合竣工验收的各项条件,同意项目竣工验收。

  该 8 英寸 MEMS 国际代工线万片 MEMS 晶圆/月;一期产能为 1 万片 MEMS 晶圆/月,一期产能已于2020 年9月建成并达到投产条件,自2020年第四季度至今持续进行产线的内部调试以及与合作客户进行工艺及产品验证。

  赛莱克斯北京是由赛微电子全资子公司北京赛莱克斯国际科技有限公司与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同投资的 8 英寸 MEMS 国际代工线)项目公司,主要是做 MEMS芯片的生产代工业务。(校对/七七)

  集微网消息6月2日,露笑科技在近日在互动平台上表示:“公司经过多年艰苦卓绝的努力,在第三代半导体碳化硅这个颠覆性材料的技术方面取得突破,目前设备慢慢的开始安装调试。”

  据业界人士向笔者透露:“露笑科技的基本的产品为6英寸导电型碳化硅衬底片,设备已经进场安装调试,这在某种程度上预示着实验室早已成功做出样片,按理应该同步进行客户端验证,否则产品做出来卖给谁?目前导电型碳化硅最佳落地应用应该是汽车功率半导体领域,消息圈有传言露笑科技已经与国内某车企的工艺负责人有实质性接触,非常有可能慢慢的开始做产品验证,如果此消息为真,那么露笑确实是A股上市公司中唯一一个目前真正能拿出实物的公司,确实这两天圈内流传一张图片疑似露笑的碳化硅片,其他公司的碳化硅衬底材料制造项目大多为前期规划,不知道是否有人见过其他公司的碳化硅片样品。”

  据了解,碳化硅是一种第三代半导体材料,又称为宽禁带半导体材料。碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为Si的4-5倍;击穿电压为Si的8倍;电子饱和漂移速率为Si的2倍。

  换而言之,碳化硅很适合制造高压大功率芯片,对比同类型硅芯片,有着更高的耐压,更大耐大电流能力,更耐高温,做出的功率芯片有着更小的体积和更高可靠性,未来在功率半导体,特别是汽车电子领域有着广阔的前景。

  目前电动车上开始使用碳化硅MOSFET来替代传统硅基IGBT,例如特斯拉Model 3车型就使用了英飞凌和意法半导体的碳化硅单管。

  碳化硅衬底片有两种类型,半绝缘型和导电型。其中半绝缘型主要用来生产大功率射频器件,比如5G基站所需的碳化硅基氮化镓功率放大器,而导电型则用来生产上文提到的碳化硅高压大功率器件,如用在电动车上的碳化硅MOSFET。

  虽然碳化硅前景巨大,但是据某位行业人士介绍,目前碳化硅晶体和衬造难度非常大。常见的硅材料,72小时候能长出2米左右的晶体,但是碳化硅144小时晶体厚度只有2-3厘米。碳化硅的长晶速度不到硅材料的百分之一。

  其次碳化硅非常坚硬,其莫氏硬度高达9.5,仅次于9.9的金刚石,是世界上最坚硬的物体之一,因此切割,研磨,抛光的等后续加工难度也远超硅材料,据该专业技术人员介绍,目前碳化硅的切割的效率非常慢,一个3厘米厚的晶锭,大约能切割35片-40片,但花费的时间将近120小时,足足5天时间,这比切割硅晶锭慢太多了。

  因此要把碳化硅衬底片完整的制造出来十分艰难,且价格非常高昂。但是由于碳化硅性能优势实在太过强大,因此下游客户对碳化硅衬底材料需求极为旺盛,加上汽车电子进一步催生对碳化硅片的需求,导致目前碳化硅“一片难求”。消息透露,目前国际巨头美国CREE公司垄断了碳化硅70%的产能,且5年内的产能被意法半导体、英飞凌、罗姆等公司长协订单绑定。

  国内虽有山东天岳,天科等碳化硅衬造企业,但是大部分产品为射频用的半绝缘型衬底,并非生产功率芯片用的导电型衬底,且以4英寸尺寸为主。假设露笑的6英寸导电型碳化硅片能成功量产,这不仅填补了国内的空白,同时也在竞争中处于先发优势地位。

  目前业内还在积极探索碳化硅高效长晶和切割以及抛光的技术,但是目前来看短期内突破困难,效率提升很难有大幅度的提高。因此谁的生产设备多,谁扩产快,就会在竞争中处于优势地位。而且现在下游客户的真实需求旺盛,只要产品质量过关,且能保持稳定供应,根本不愁订单,未来机会非常大。

  6.中国工程院院士增选第二轮评审候选人名单公布,信息与电子工程学部共31人入选

  集微网消息,6月2日,中国工程院官网公布2021年院士增选第二轮评审候选人名单,经中国工程院院士增选第一轮评审,产生进入第二轮评审候选人235位。

  按照此前公布的安排,6月,各学部第一轮评审,公布进入第二轮评审候选人名单。7月,组织进入第二轮评审候选人材料公示,主管部门审核把关。10月,经第二轮评审后,公布终选候选人名单。再经全体院士投票终选,确定当选院士名单。

  其中包括清华大学曹必松,专业为电子技术;南京理工大学陈钱,专业为光电子技术;电子科技大学蒋亚东,专业为传感器与遥感技术;清华大学罗毅,专业为光电子技术;中国人民火箭军研究院孙向东,专业为传感器与遥感技术;中国电子科技集团公司第三十八研究所吴剑旗,专业为雷达技术。


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