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中国自研“光芯片”比传统芯片快千倍换道超车成为现实

时间: 2023-10-30 00:31:43 |   作者: 汽车排放气体分析仪

众所周知,芯片作为现代科技发展史上的智慧结晶,对推动人类文明进步有着举足轻重的作用。而在这方面,

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  众所周知,芯片作为现代科技发展史上的智慧结晶,对推动人类文明进步有着举足轻重的作用。而在这方面,美国长期处在领头羊,掌握核心话语权。反观中国,由于近代工业发展起步较晚,芯片基础薄弱,长期以来只能依赖进口,而美国就是这里面最大的受益者。

  也正因如此,美国对于近年来中国芯片行业的进步越发不爽,毕竟这很有一定的概率会导致他们失去领头羊。一向嚣张霸道惯了的美国,又如何能忍受一个发展中国家与自己平起平坐?这显然是不可能的。于是自拜登上台以后,美国对中国高科技产业的围堵封杀越发变本加厉。

  最开始,美国只是对中国芯片企业下手,其第一目标就是华为!为了限制华为,拜登要求使用美国技术的台积电停止生产海思麒麟芯片,让华为失去了与美国本土企业正面竞争的本钱。不得已的华为只能被迫采用高通的4G芯片,为竞争对手的市场占有率添砖加瓦。

  即便如此美国依旧不满足,毕竟中国市场这么大,没了华为还会有别的企业!于是不放心的拜登又出了新的损招,禁止光刻机巨头ASML出售设备给到中国,从源头上断绝我们生产高端芯片的可能。

  此外,为了加强美国在半导体领域内的竞争力,拜登还成立了一个“芯片四方联盟”,将韩国、日本以及中国台湾地区的半导体巨头全部迁移至美国,让他们在当地建厂并且承诺给予520亿美元的高额补贴。可见,为了彻底遏制住中国半导体产业的发展,美国此次可谓是下足了血本。

  只是让拜登没想到是,我们对此早有防备,在明知硅基芯片无法超越美国的情况下,中国企业已经换道超车,在“光芯片”领域走出了关键性的一步。

  日前,据《北京日报》报道:由中科鑫通公司主导的国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线将于明年正式建成投产。据悉,光子芯片摒弃传统的硅片制芯方法,采用的是InP、GaAs等全球新兴半导体材料,其在成本和性能上几乎完胜硅基材料。

  更值得关注的是光子芯片生产制造是以IDM为主要模式,其生产难点在外部设计和制取阶段,对光刻环节的要求反而不高,这直接降低了对高端光刻机的依赖性,弥补了我们当前的劣势。

  很多人可能不知道,截止目前我们国内的半导体企业才初步具备生产14nm制程芯片的能力,而现阶段国际头部企业的制造能力已达到3nm甚至是更精密的程度,不客气的说两者间的差距至少在10年以上。

  而阻碍中国电子芯片发展的根本原因就是缺少顶级光刻机,从原材料制备到芯片电路设计我们都可以独立完成,唯独在光刻阶段缺少关键设备——EUV光刻机,它是制造7nm以下芯片的核心仪器。

  当下EUV光刻机几乎都被荷兰的ASML公司垄断,受美国制裁所累,我们没办法从ASML那里订购到先进的EUV光刻机。换句话说,我们连制造高端硅基芯片的门槛都进不去。

  一边是芯片市场的火热需求,一边是进展缓慢的芯片发展,这种不平衡、不充分的格局促使我们不得已考虑其它的方案,而光子芯片的出现正好解决了这一难题。

  目前光子芯片是一个重要的研发方向,和硅基芯片相比光子芯片不仅响应速度更快,达到传统硅基芯片的1000倍以上,而且耗能更低,信息容量更大。正因为拥有如此多的优势,所以光子芯片也被看作是硅基芯片的替代方向之一。

  而我国在光子芯片领域的研发早已有之,目前已经有了相对成熟的技术,根据预测,明年我国光子芯片就有望迎来新的突破。待这条光芯片产线正式建成,届时不仅能满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域的需求,同时有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白,这是非常令国人振奋的事情。

  当前美国在硅基芯片时代统领全球,将中国视为随意打压的存在。然而任何技术都会有被取代的一天,哪怕是硅基芯片也没办法避免。因此我国现在落后不代表永远落后,光芯片就是我们实现逆袭的一大机会!所以相信再过几年,中国在光芯片制造领域一定会传来好消息,届时所有问题都会迎刃而解!


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